ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IRGP4069DPBF, Транзистор БТИЗ, 600В, 76А, 268Вт, TO247AC - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
IRGP4069DPBF, Транзистор БТИЗ, 600В, 76А, 268Вт, TO247AC
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
IRGP4069DPBF, Транзистор БТИЗ, 600В, 76А, 268Вт, TO247AC
Последняя цена
870 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы и модули IGBT\Транзисторы IGBT\Транзисторы IGBT THT
Co-Pack IGBT более 21A, Infineon
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) от Infineon предоставляют поставщику широкий спектр возможностей для обеспечения защиты вашего приложения. Высокий коэффициент полезного действия позволяет использовать этот диапазон IGBT в самых разных приложениях и может поддерживать различные частоты переключения благодаря низким коммутационным потерям.
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Артикул
IRGP4069DPBF
Категория
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
Номенклатурный номер
1252544
Технические параметры
Производитель
Infineon
Тип корпуса
TO-247AC
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Brand
Infineon
Base Product Number
IRGP4069 ->
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Input Type
Standard
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55В°C ~ 175В°C (TJ)
Package
Tube
Package / Case
TO-247-3
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
TO-247AC
Transistor Configuration
Одинарный
Maximum Collector Emitter Voltage
600 В
Maximum Power Dissipation
268 Вт
Pin Count
3
Maximum Gate Emitter Voltage
±30V
Длина
15.87мм
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
600 В
Максимальный непрерывный ток коллектора
76 A
Максимальное рассеяние мощности
268 Вт
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
20.7мм
Число контактов
3
Размеры
15.87 x 5.31 x 20.7мм
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
±30V
Current - Collector (Ic) (Max)
76A
Current - Collector Pulsed (Icm)
105A
Gate Charge
69nC
Power - Max
268W
Switching Energy
390ВµJ (on), 632ВµJ (off)
Td (on/off) @ 25В°C
46ns/105ns
Test Condition
400V, 35A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.85V @ 15V, 35A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600V
Тип канала
N
Reverse Recovery Time (trr)
120ns
Максимальная рабочая температура
+175 °C
IGBT Type
Trench
Ширина
5.31мм
Вес, г
5.6
Техническая документация
irgp4069dpbf , pdf
, 296 КБ
