ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IRG7PH35UD-EP, IGBT - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
IRG7PH35UD-EP, IGBT
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
IRG7PH35UD-EP, IGBT
Последняя цена
730 руб.
Сравнить
Описание
Semiconductors
Co-Pack IGBT более 21A, Infineon
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) от Infineon предоставляют поставщику широкий спектр возможностей для обеспечения защиты вашего приложения. Высокий коэффициент полезного действия позволяет использовать этот диапазон IGBT в самых разных приложениях и может поддерживать различные частоты переключения благодаря низким коммутационным потерям.
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Артикул
IRG7PH35UD-EP
Категория
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
Номенклатурный номер
1252539
Технические параметры
Тип корпуса
TO-247AD
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Brand
Infineon
Package Type
TO-247AD
Mounting Type
Through Hole
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
15.87mm
Transistor Configuration
Одинарный
Maximum Collector Emitter Voltage
1200 В
Maximum Continuous Collector Current
50 A
Maximum Power Dissipation
180 Вт
Energy Rating
2150µJ
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Width
5.31mm
Height
20.7mm
Pin Count
3
Dimensions
15.87 x 5.31 x 20.7mm
Switching Speed
1МГц
Maximum Gate Emitter Voltage
±30V
Channel Type
N
Gate Capacitance
1940пФ
Номинальная энергия
2150µJ
Число контактов
3
Размеры
15.87 x 5.31 x 20.7мм
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
±30V
Тип канала
N
Максимальная рабочая температура
+150 °C