IRG4PF50WPBF, TO-247AC, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 360 руб.

Сравнить

Описание

IGBT транзисторы

Один IGBT более 21 А, Infineon
Оптимизированные IGBT, предназначенные для среднечастотных приложений с быстрым откликом и обеспечивающие пользователю наивысшую доступную эффективность. Использование диодов FRED, оптимизированных для обеспечения наилучшей производительности с IGBT.

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

IRG4PF50WPBF

Категория

Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)

Номенклатурный номер

1252538

Технические параметры

Производитель

Infineon

Тип корпуса

TO-247AC

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Brand

Infineon

Mounting Type

Монтаж на плату в отверстия

Length

15.9мм

Transistor Configuration

Одинарный

Maximum Collector Emitter Voltage

900 В

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Maximum Gate Emitter Voltage

±20V

Длина

15.9мм

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

900 V

Максимальный непрерывный ток коллектора

51 А

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

20.3мм

Число контактов

Размеры

15.9 x 5.3 x 20.3мм

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

±20V

Тип канала

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Ширина

5.3мм

Collector-Emitter Saturation Voltage

2.7V @ 15V,28A

Collector-Emitter Breakdown Voltage

900V

Maximum DC Collector Current

51A

Vgs Th - Gate-Source Threshold Voltage

6V @ 250uA

Максимальное напряжение КЭ ,В

900

Напряжение насыщения при номинальном токе, В

2.25

Корпус

to247ac

Максимальная частота переключения, кГц

100

Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A

Мощность макс.,Вт

200

Структура*: дискретный транзистор или со встроенным диодом с мягким восстановлением

n-канал

Техническая документация

Datasheet , pdf , 649 КБ

IRG4PF50WPBF, TO-247AC - характеристики, поставщики

Последняя цена 360 руб.

Техническая документация