ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IRG4PC50WPBF, IGBT - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
IRG4PC50WPBF, IGBT
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
IRG4PC50WPBF, IGBT
Последняя цена
640 руб.
Сравнить
Описание
Semiconductors
Один IGBT более 21 А, Infineon
Оптимизированные IGBT, предназначенные для среднечастотных приложений с быстрым откликом и обеспечивающие пользователю наивысшую доступную эффективность. Использование диодов FRED, оптимизированных для обеспечения наилучшей производительности с IGBT.
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Артикул
IRG4PC50WPBF
Категория
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
Номенклатурный номер
1252537
Технические параметры
Производитель
Infineon
Тип корпуса
TO-247AC
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Transistor Configuration
Одинарный
Длина
15.9мм
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
600 В
Максимальный непрерывный ток коллектора
55 А
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
20.3мм
Число контактов
3
Размеры
15.9 x 5.3 x 20.3мм
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
±20V
Тип канала
N
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Ширина
5.3мм
Техническая документация
IGBT транзисторы , pdf
, 19 КБ
IRG4PC50WPBF Datasheet , pdf
, 246 КБ
