ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IRFZ48RPBF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 50А; 190Вт; TO220AB - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Vishay
IRFZ48RPBF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 50А; 190Вт; TO220AB
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
IRFZ48RPBF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 50А; 190Вт; TO220AB
Последняя цена
410 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT
МОП-транзистор 60V N-CH HEXFET МОП-транзистор
Информация
Производитель
Vishay
Артикул
IRFZ48RPBF
Категория
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
Номенклатурный номер
2152204
Технические параметры
Вес, г
2
Mounting Type
Through Hole
Ширина
4.7 mm
Конфигурация
Single
Максимальная Рабочая Температура
+ 175 C
Категория продукта
МОП-транзистор
Размер фабричной упаковки
50
Серия
IRFZ
Торговая марка
Vishay Semiconductors
Длина
10.41 mm
Высота
15.49 mm
Id - непрерывный ток утечки
50 A
Pd - рассеивание мощности
190 W
Vds - напряжение пробоя сток-исток
60 V
Вид монтажа
Through Hole
Минимальная рабочая температура
55 C
Полярность транзистора
N-Channel
Упаковка / блок
TO-220-3
Подкатегория
MOSFETs
Тип продукта
MOSFET
Base Product Number
IRFZ48 ->
Drain to Source Voltage (Vdss)
60V
ECCN
EAR99
FET Type
N-Channel
HTSUS
8541.29.0095
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Operating Temperature
-55В°C ~ 175В°C (TJ)
Package
Tube
Package / Case
TO-220-3
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
TO-220AB
Количество каналов
1 Channel
Упаковка
Tube
Технология
Si
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
18 mOhms
Vgs - напряжение затвор-исток
20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
2 V
Канальный режим
Enhancement
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C
50A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2400pF @ 25V
Power Dissipation (Max)
190W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
18mOhm @ 43A, 10V
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)
В±20V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250ВµA
Qg - заряд затвора
110 nC
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
110nC @ 10V
Other Related Documents
http://www.vishay.com/docs/88869/packaging.pdf
Техническая документация
Datasheet IRFZ48RPBF , pdf
, 1136 КБ