IRFZ34NSPBF, MOSFET транзистор [TO-263-2], International Rectifier - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 320 руб.

Сравнить

Описание

MOSFET, N, 55V, 29A, D2-PAK; Transistor Type: MOSFET; Transistor Polarity: N; Voltage, Vds Typ: 55V; Current, Id Cont: 29A; Resistance, Rds On: 0.04ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement: 10V; Voltage, Vgs th Typ: 4V; Case Style: D2-PAK; Termination Type: SMD; Case Style, Alternate: D2-PAK; Current, Idm Pulse: 100A; Marking, SMD: FZ34NS; Power Dissipation: 68W; Power Dissipation, on 1 Sq. PCB: 3.8W; Power, Pd: 68W; Temperature, Current: 25°C; Temperature, Full Power Rating: 25°C; Thermal Resistance, Junction to Case A: 2.2°C/W; Voltage, Vds: 55V; Voltage, Vds Max: 55V; Voltage, Vgs th Max: 4V
Корпус TO-263-3, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 55 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 29 А, Сопротивление открытого канала (мин) 40 мОм

Информация

Производитель

International Rectifier

Артикул

IRFZ34NSPBF

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1773279

Технические параметры

Вес, г

2.364

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C

29A

Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)

3.8W

Rds On - Drain-Source Resistance

Transistor Polarity

N Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

55V

Vgs - Gate-Source Voltage

4V @ 250uA

Техническая документация

Datasheet , pdf , 297 КБ

IRFZ34NSPBF, MOSFET транзистор [TO-263-2] - характеристики, поставщики

Последняя цена 320 руб.

Техническая документация