ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IRFUC20PBF, Транзистор, N-канал 600В 2А [I-PAK] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Vishay
IRFUC20PBF, Транзистор, N-канал 600В 2А [I-PAK]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
IRFUC20PBF, Транзистор, N-канал 600В 2А [I-PAK]
Последняя цена
32 руб.
Сравнить
Описание
MOSFET Transistor Type MOSFET Transist
Корпус TO251, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 600 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 2 А, Сопротивление открытого канала (мин) 4.4 Ом
Информация
Производитель
Vishay
Артикул
IRFUC20PBF
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1773275
Технические параметры
Вес, г
0.45
Структура
n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
2
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
4.4 Ом/1.2А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
42
Крутизна характеристики, S
1.4
Корпус
ipak
Пороговое напряжение на затворе
4
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 1114 КБ
sihfrc20 , pdf
, 1123 КБ
Datasheet IRFUC20PBF , pdf
, 1111 КБ
Datasheet IRFUC20PBF , pdf
, 1141 КБ