ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IRFU5305PBF, Транзистор, Р-канал 55В 28А [I-PAK] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
IRFU5305PBF, Транзистор, Р-канал 55В 28А [I-PAK]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
IRFU5305PBF, Транзистор, Р-канал 55В 28А [I-PAK]
Последняя цена
48 руб.
Сравнить
Описание
P-канальные силовые полевые МОП-транзисторы от 40 до 55 В, Infineon
Линейка дискретных силовых полевых МОП-транзисторов Infineon HEXFET® включает устройства с P-каналом в корпусах для поверхностного монтажа и выводах, а также в форм-факторах, которые подходят практически для любой компоновки платы и проблема теплового проектирования. Во всем диапазоне эталонное сопротивление снижает потери проводимости, позволяя разработчикам обеспечивать оптимальную эффективность системы.
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Артикул
IRFU5305PBF
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1773269
Технические параметры
Вес, г
0.45
Структура
p-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
55
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
31
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
0.065 Ом/16А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
110
Крутизна характеристики, S
8
Корпус
ipak
Пороговое напряжение на затворе
-4
Техническая документация
IRFU5305 Datasheet , pdf
, 170 КБ
Datasheet IRFU5305PBF , pdf
, 251 КБ