IRFSL7430PBF транзистор, MOSFET N-CHANNEL HEXFET 40V 426A TO262, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 390 руб.

Сравнить

Описание

N-канальный силовой полевой МОП-транзистор, 40 В, Infineon
Диапазон дискретных силовых полевых МОП-транзисторов Infineon HEXFET® включает N-канальные устройства в корпусах для поверхностного монтажа и выводах, а также в форм-факторах, которые подходят практически для любой компоновки платы и теплового дизайна вызов. Во всем диапазоне эталонное сопротивление снижает потери проводимости, позволяя разработчикам обеспечивать оптимальную эффективность системы.

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

IRFSL7430PBF транзистор

P/N

IRFSL7430PBF

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1813416

Технические параметры

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Package Type

I2PAK (TO-262)

Transistor Material

Length

10.67mm

Brand

Infineon

Series

HEXFET

Pin Count

Typical Gate Charge @ Vgs

300 nC @ 10 V

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Mounting Type

Through Hole

Transistor Configuration

Single

Number of Elements per Chip

Maximum Continuous Drain Current

426 A

Maximum Power Dissipation

375 W

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Width

4.83mm

Height

9.65mm

Maximum Drain Source Resistance

1.2 mΩ

Maximum Drain Source Voltage

40 V

Channel Mode

Enhancement

Channel Type

Forward Diode Voltage

1.3V

Forward Transconductance

150s

Dimensions

10.67 x 4.83 x 9.65mm

Typical Turn-On Delay Time

32 ns

Typical Turn-Off Delay Time

160 ns

IRFSL7430PBF транзистор, MOSFET N-CHANNEL HEXFET 40V 426A TO262 - характеристики, поставщики

Последняя цена 390 руб.