IRFSL3607PBF, Транзистор 75V 80A TO262, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 245 руб.

Сравнить

Описание

N-канальные силовые полевые МОП-транзисторы от 60 В до 80 В, Infineon
Линейка дискретных силовых полевых МОП-транзисторов с полевым HEXFET® от Infineon включает N-канальные устройства в корпусах для поверхностного монтажа и выводах. И форм-факторы, которые могут решить практически любую проблему компоновки платы и теплового дизайна. Во всем диапазоне эталонное сопротивление снижает потери проводимости, позволяя разработчикам обеспечивать оптимальную эффективность системы.

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

IRFSL3607PBF

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1813762

Технические параметры

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Package Type

I2PAK (TO-262)

Transistor Material

Length

10.67mm

Brand

Infineon

Series

HEXFET

Pin Count

Typical Gate Charge @ Vgs

56 nC @ 10 V

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Mounting Type

Through Hole

Transistor Configuration

Single

Number of Elements per Chip

Maximum Continuous Drain Current

80 A

Maximum Power Dissipation

140 W

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Width

4.83mm

Height

9.65mm

Maximum Drain Source Resistance

9 mΩ

Maximum Drain Source Voltage

75 V

Channel Mode

Enhancement

Channel Type

Forward Diode Voltage

1.3V

Forward Transconductance

115s

Dimensions

10.67 x 4.83 x 9.65mm

Typical Turn-On Delay Time

16 ns

Typical Turn-Off Delay Time

43 ns

Техническая документация

Datasheet , pdf , 322 КБ

IRFSL3607PBF, Транзистор 75V 80A TO262 - характеристики, поставщики

Последняя цена 245 руб.

Техническая документация