IRFSL3206PBF, Транзистор N-МОП, полевой, HEXFET, 60В, 210А, 300Вт, TO262, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 290 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT

МОП-транзистор MOSFT 60V 210A 3mOhm 120nC

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

IRFSL3206PBF

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2147650

Технические параметры

Тип Транзистора

1 N-Channel

Вес, г

1.6

Ширина

4.5 mm

Конфигурация

Single

Максимальная Рабочая Температура

+ 175 C

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

1000

Торговая марка

Infineon / IR

Длина

10.2 mm

Высота

9.45 mm

Id - непрерывный ток утечки

210 A

Pd - рассеивание мощности

300 W

Vds - напряжение пробоя сток-исток

60 V

Вид монтажа

Through Hole

Минимальная рабочая температура

55 C

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

TO-262-3

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Количество каналов

1 Channel

Упаковка

Tube

Технология

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

2.4 mOhms

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V, + 20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

1.8 V

Канальный режим

Enhancement

Qg - заряд затвора

120 nC

Техническая документация

Datasheet , pdf , 343 КБ

IRFSL3206PBF, Транзистор N-МОП, полевой, HEXFET, 60В, 210А, 300Вт, TO262 - характеристики, поставщики

Последняя цена 290 руб.

Техническая документация