IRFS4310TRLPBF, Транзистор, Nкан 100В 130А [D2-Pak], Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 475 руб.

Сравнить

Описание

N-канальный силовой полевой МОП-транзистор 100 В, Infineon
Линейка дискретных силовых полевых МОП-транзисторов с полевыми транзисторами HEXFET® от Infineon включает N-канальные устройства в корпусах для поверхностного монтажа и выводах. И форм-факторы, которые могут решить практически любую проблему компоновки платы и теплового дизайна. Во всем диапазоне эталонное сопротивление снижает потери проводимости, позволяя разработчикам обеспечивать оптимальную эффективность системы.

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

IRFS4310TRLPBF

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1773216

Технические параметры

Вес, г

2.109

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Package Type

D2PAK (TO-263)

Transistor Material

Length

10.67mm

Brand

Infineon

Series

HEXFET

Pin Count

Typical Gate Charge @ Vgs

170 nC @ 10 V

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Mounting Type

Surface Mount

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Threshold Voltage

Minimum Gate Threshold Voltage

Number of Elements per Chip

Maximum Continuous Drain Current

130 A

Maximum Power Dissipation

300 W

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Width

11.3mm

Height

4.83mm

Maximum Drain Source Resistance

7 mΩ

Maximum Drain Source Voltage

100 V

Channel Mode

Enhancement

Channel Type

Forward Diode Voltage

1.3V

Forward Transconductance

160s

Dimensions

10.67 x 11.3 x 4.83mm

Typical Turn-On Delay Time

26 ns

Typical Turn-Off Delay Time

68 ns

Техническая документация

Datasheet , pdf , 377 КБ

IRFS4310TRLPBF, Транзистор, Nкан 100В 130А [D2-Pak] - характеристики, поставщики

Последняя цена 475 руб.

Техническая документация