ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IRFS4115TRLPBF, Транзистор, HEXFET, N-канал, 150В, 99А [D2-PAK] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
IRFS4115TRLPBF, Транзистор, HEXFET, N-канал, 150В, 99А [D2-PAK]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
IRFS4115TRLPBF, Транзистор, HEXFET, N-канал, 150В, 99А [D2-PAK]
Последняя цена
270 руб.
Сравнить
Описание
Trans MOSFET N-CH Si 150V 195A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Корпус TO263, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 150 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 195 А, Сопротивление открытого канала (мин) 12.1 мОм
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Артикул
IRFS4115TRLPBF
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1773210
Технические параметры
Вес, г
2.5
Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C
195A
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)
375W
Rds On - Drain-Source Resistance
12.1mО© @ 62A,10V
Transistor Polarity
N Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
150V
Vgs - Gate-Source Voltage
5V @ 250uA
Техническая документация
irfs4115pbf , pdf
, 305 КБ
Datasheet IRFS4115TRLPBF , pdf
, 287 КБ