ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IRFS4020TRLPBF, Транзистор - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
IRFS4020TRLPBF, Транзистор
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
IRFS4020TRLPBF, Транзистор
Последняя цена
245 руб.
Сравнить
Описание
Digital Audio MOSFET, Infineon
усилители класса D быстро становятся предпочтительным решением для профессиональных и домашних аудио- и видеосистем. Infineon предлагает широкий ассортимент, упрощающий проектирование высокоэффективных усилителей класса D.
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Артикул
IRFS4020TRLPBF
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1815798
Технические параметры
Вес, г
0.1
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Package Type
D2PAK (TO-263)
Высота
9.65mm
Length
10.67мм
Brand
Infineon
Pin Count
3
Typical Gate Charge @ Vgs
18 nC @ 10 V
Maximum Gate Source Voltage
-20 В, +20 В
Mounting Type
Поверхностный монтаж
Серия
HEXFET
Maximum Gate Threshold Voltage
4.9V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Continuous Drain Current
18 A
Maximum Power Dissipation
100 Вт
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Width
4.83mm
Maximum Drain Source Resistance
105 mΩ
Maximum Drain Source Voltage
200 V
Channel Mode
Поднятие
Channel Type
N
Forward Diode Voltage
1.3V
Техническая документация
Datasheet IRFS4020TRLPBF , pdf
, 332 КБ
