ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IRFS3607TRLPBF, Транзистор HEXFET N-канал 75В 80А [D2-PAK] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
IRFS3607TRLPBF, Транзистор HEXFET N-канал 75В 80А [D2-PAK]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
IRFS3607TRLPBF, Транзистор HEXFET N-канал 75В 80А [D2-PAK]
Последняя цена
75 руб.
Сравнить
Описание
MOSFET, N-CH, 75V, 80A, TO-263-3
Корпус TO263, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 75 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 80 А, Сопротивление открытого канала (мин) 9 мОм
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Артикул
IRFS3607TRLPBF
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1773203
Технические параметры
Вес, г
2.5
Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C
80A
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)
140W
Rds On - Drain-Source Resistance
9mО© @ 46A,10V
Transistor Polarity
N Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
75V
Vgs - Gate-Source Voltage
4V @ 100uA
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 322 КБ
IRFS3607PBF datasheet , pdf
, 437 КБ