ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IRFR9N20DTRPBF, транзистор Nкан 200В 9.4А DPak - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
IRFR9N20DTRPBF, транзистор Nкан 200В 9.4А DPak
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
IRFR9N20DTRPBF, транзистор Nкан 200В 9.4А DPak
Последняя цена
238 руб.
Сравнить
Описание
N-канальный силовой полевой МОП-транзистор от 150 В до 600 В, Infineon
Линейка дискретных силовых полевых МОП-транзисторов Infineon HEXFET® включает N-канальные устройства в корпусах для поверхностного монтажа и выводах, а также в форм-факторах, которые подходят практически для любой компоновки платы и проблема теплового проектирования. Во всем диапазоне эталонное сопротивление снижает потери проводимости, позволяя разработчикам обеспечивать оптимальную эффективность системы.
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Артикул
IRFR9N20DTRPBF
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
2477833
Технические параметры
Структура
n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
9.4
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
86
Корпус
dpak