ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IRFR9310TRPBF, Ркан -400В -1.8А DPak - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Vishay
IRFR9310TRPBF, Ркан -400В -1.8А DPak
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
IRFR9310TRPBF, Ркан -400В -1.8А DPak
Последняя цена
133 руб.
Сравнить
Описание
Trans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-контактный (2 вывода) DPAK T / R
Информация
Производитель
Vishay
Артикул
IRFR9310TRPBF
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1773188
Технические параметры
Вес, г
3
Pin Count
3
Number of Elements per Chip
1
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
P
Configuration
Single
ECCN (US)
EAR99
EU RoHS
Compliant with Exemption
Maximum Continuous Drain Current (A)
1.8
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)
7000 10V
Maximum Drain Source Voltage (V)
400
Maximum Gate Source Voltage (V)
±20
Maximum Operating Temperature (°C)
150
Maximum Power Dissipation (mW)
50000
Minimum Operating Temperature (°C)
-55
Mounting
Surface Mount
Packaging
Tape and Reel
Part Status
Active
PCB changed
2
Product Category
Power MOSFET
Standard Package Name
TO-252
Supplier Package
DPAK
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)
270 25V
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)
13(Max) 10V
Typical Gate Charge @ 10V (nC)
13(Max)
Typical Fall Time (ns)
24
Typical Rise Time (ns)
10
Typical Turn-Off Delay Time (ns)
25
Typical Turn-On Delay Time (ns)
11
Tab
Tab
Maximum Gate Threshold Voltage (V)
4
Maximum Gate Source Leakage Current (nA)
100
Maximum IDSS (uA)
100
Typical Reverse Recovery Time (ns)
170
Maximum Pulsed Drain Current @ TC=25°C (A)
7.2
Typical Gate Plateau Voltage (V)
5.1
Maximum Positive Gate Source Voltage (V)
20
Maximum Diode Forward Voltage (V)
4
Maximum Junction Ambient Thermal Resistance on PCB (°C/W)
50
Operating Junction Temperature (°C)
-55 to 150
Typical Gate to Drain Charge (nC)
5(Max)
Typical Gate to Source Charge (nC)
3.2(Max)
Typical Reverse Recovery Charge (nC)
640
Typical Reverse Transfer Capacitance @ Vds (pF)
8 25V
Minimum Gate Threshold Voltage (V)
2
Typical Output Capacitance (pF)
50
Material
Si
Техническая документация
Datasheet IRFR9310TRPBF , pdf
, 267 КБ
Datasheet , pdf
, 259 КБ