ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IRFR9024NTRPBF, Транзистор P-MOSFET 55В 11A [D-PAK] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
IRFR9024NTRPBF, Транзистор P-MOSFET 55В 11A [D-PAK]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
IRFR9024NTRPBF, Транзистор P-MOSFET 55В 11A [D-PAK]
Последняя цена
44 руб.
Сравнить
Описание
P-канальные силовые полевые МОП-транзисторы от 40 до 55 В, Infineon
Infineon, предлагает линейку дискретных мощных МОП-транзисторов HEXFET®, включая P-канальные устройства в корпусах для поверхностного монтажа и выводах, а также форм-факторах, которые подходят почти для всех любая компоновка платы и задача теплового дизайна. Во всем диапазоне эталонное сопротивление снижает потери проводимости, позволяя разработчикам обеспечивать оптимальную эффективность системы.
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Артикул
IRFR9024NTRPBF
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1773182
Технические параметры
Вес, г
0.4
Структура
p-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
55
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
11
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
0.175 Ом/6.6А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
38
Крутизна характеристики, S
2.5
Корпус
DPAK(2 Leads+Tab)
Пороговое напряжение на затворе
-4
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 1385 КБ