ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IRFR3910TRPBF, Транзистор HEXFET, N-канал, 100В, 15А [D-PAK] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
IRFR3910TRPBF, Транзистор HEXFET, N-канал, 100В, 15А [D-PAK]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
IRFR3910TRPBF, Транзистор HEXFET, N-канал, 100В, 15А [D-PAK]
Последняя цена
44 руб.
Сравнить
Описание
N-CH 100V 15A 115mOhm TO252
Корпус TO252, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 100 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 16 А, Сопротивление открытого канала (мин) 115 мОм
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Артикул
IRFR3910TRPBF
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1773145
Технические параметры
Вес, г
0.4
Структура
n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
15
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
0.115 Ом/10А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
79
Крутизна характеристики, S
6.4
Корпус
DPAK(2 Leads+Tab)
Техническая документация
Datasheet IRFR3910, IRFU3910 , pdf
, 393 КБ