ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IRFR3707ZTRPBF, Транзистор, HEXFET, N-канал, 30В, 56А [D-PAK] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
IRFR3707ZTRPBF, Транзистор, HEXFET, N-канал, 30В, 56А [D-PAK]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
IRFR3707ZTRPBF, Транзистор, HEXFET, N-канал, 30В, 56А [D-PAK]
Последняя цена
47 руб.
Сравнить
Описание
Корпус TO252, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 30 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 56 А, Сопротивление открытого канала (мин) 9.5 мОм
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Артикул
IRFR3707ZTRPBF
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1773140
Технические параметры
Вес, г
0.4
Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C
56A(Tc)
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)
50W(Tc)
Rds On - Drain-Source Resistance
9.5mО© @ 15A,10V
Transistor Polarity
N Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
30V
Vgs - Gate-Source Voltage
2.25V @ 25uA
Техническая документация
Datasheet IRFR3710Z, IRFU3710Z, IRFU3710Z-701 , pdf
, 683 КБ
Datasheet , pdf
, 547 КБ