IRFR3410TRPBF, Транзистор HEXFET N-канал 100В 31А [D-PAK], Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 72 руб.

Сравнить

Описание

Корпус TO252, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 100 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 31 А, Сопротивление открытого канала (мин) 39 мОм

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

IRFR3410TRPBF

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1773133

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+175 °C

Вес, г

0.4

Максимальный непрерывный ток стока

31 A

Максимальное рассеяние мощности

110 Вт

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Ширина

6.22мм

Высота

2.39мм

Количество элементов на ИС

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

39 mΩ

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Длина

6.73мм

Серия

HEXFET

Типичное время задержки выключения

40 нс

Тип корпуса

DPAK (TO-252)

Размеры

6.73 x 6.22 x 2.39мм

Материал транзистора

Кремний

Transistor Configuration

Одинарный

Типичное время задержки включения

12 нс

Производитель

Infineon

Maximum Gate Threshold Voltage

Minimum Gate Threshold Voltage

Число контактов

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

37 nC @ 10 V

Типичная входная емкость при Vds

1690 пФ при 25 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Техническая документация

Datasheet IRFR3410, IRFU3410 , pdf , 232 КБ

IRFR3410TRPBF, Транзистор HEXFET N-канал 100В 31А [D-PAK] - характеристики, поставщики

Последняя цена 72 руб.

Техническая документация