ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IRFR2905ZTRPBF, Транзистор, N-канал 55В 59А [D-PAK] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
IRFR2905ZTRPBF, Транзистор, N-канал 55В 59А [D-PAK]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
IRFR2905ZTRPBF, Транзистор, N-канал 55В 59А [D-PAK]
Последняя цена
110 руб.
Сравнить
Описание
Trans MOSFET N-CH Si 55V 59A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Корпус TO252, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 55 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 42 А, Сопротивление открытого канала (мин) 14.5 мОм
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Артикул
IRFR2905ZTRPBF
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1773128
Технические параметры
Вес, г
0.4
Структура
n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
55
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
42
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
0.0145 Ом/36А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
110
Крутизна характеристики, S
20
Корпус
DPAK(2 Leads+Tab)
Техническая документация
IRFR2905ZPBF Datasheet , pdf
, 337 КБ