ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IRFR24N15DTRPBF, Транзистор, HEXFET, N-канал, 150В, 24А [D-PAK] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
IRFR24N15DTRPBF, Транзистор, HEXFET, N-канал, 150В, 24А [D-PAK]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
IRFR24N15DTRPBF, Транзистор, HEXFET, N-канал, 150В, 24А [D-PAK]
Последняя цена
54 руб.
Сравнить
Описание
МОП-транзистор MOSFT 150V 24A 95mOhm 30nC
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Артикул
IRFR24N15DTRPBF
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1773126
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+ 175 C
Полярность Транзистора
N-Channel
Вес, г
4
Ширина
6.22 mm
Высота
2.3 mm
Id - непрерывный ток утечки
24 A
Pd - рассеивание мощности
140 W
Qg - заряд затвора
45 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
95 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
150 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
5 V
Вид монтажа
SMD/SMT
Время нарастания
53 ns
Время спада
15 ns
Длина
6.5 mm
Другие названия товара №
SP001578104
Категория продукта
МОП-транзистор
Количество каналов
1 Channel
Конфигурация
Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.
8.2 S
Подкатегория
MOSFETs
Размер фабричной упаковки
2000
Технология
Si
Тип продукта
MOSFET
Тип транзистора
1 N-Channel
Торговая марка
Infineon Technologies
Упаковка / блок
TO-252-3
Техническая документация
IRFR24N15DPBF Datasheet , pdf
, 277 КБ
Datasheet IRFR24N15D, IRFU24N15D , pdf
, 113 КБ
Datasheet IRFR24N15DTRPBF , pdf
, 278 КБ