IRFPC50APBF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 11А; Idm: 44А; 180Вт; TO247AC, Vishay - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 182 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT

N-канальный MOSFET, от 600 В до 1000 В, Vishay Semiconductor

Информация

Производитель

Vishay

Артикул

IRFPC50APBF

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2093338

Технические параметры

Количество Выводов

3вывод(-ов)

Стиль Корпуса Транзистора

TO-247

Вес, г

Brand

Vishay

Тип корпуса

TO-247AC

Mounting Type

Монтаж на плату в отверстия

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Ширина

5.31мм

Height

20.7мм

Число контактов

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 V, +30 V

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Transistor Configuration

Одинарный

Package Type

TO-247AC

Width

5.31мм

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

500

Серия

IRFPC

Торговая марка

Vishay / Siliconix

Длина

15.87мм

Высота

20.7мм

Размеры

15.87 x 5.31 x 20.7мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Полярность транзистора

N Канал

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Производитель

Vishay

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Упаковка

Tube

Технология

Количество элементов на ИС

Максимальный непрерывный ток стока

11 А

Максимальное рассеяние мощности

180 Вт

Minimum Gate Threshold Voltage

Максимальное сопротивление сток-исток

580 мΩ

Максимальное напряжение сток-исток

600 В

Материал транзистора

Номер канала

Поднятие

Типичная входная емкость при Vds

2100 пФ при 25 В

Тип канала

Number of Elements per Chip

Maximum Continuous Drain Current

11 А

Maximum Drain Source Resistance

580 мΩ

Typical Gate Charge @ Vgs

70 нКл при 10 В

Transistor Material

Кремний

Channel Mode

Поднятие

Типичное время задержки выключения

33 ns

Типичное время задержки включения

15 нс

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

70 нКл при 10 В

Минимальное пороговое напряжение включения

Transistor Mounting

Through Hole

Напряжение Измерения Rds(on)

10В

Напряжение Истока-стока Vds

600В

Непрерывный Ток Стока

11А

Пороговое Напряжение Vgs

4В

Рассеиваемая Мощность

180Вт

Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)

0.58Ом

Техническая документация

Datasheet IRFPC50APBF , pdf , 192 КБ
Datasheet IRFPC50APBF , pdf , 205 КБ

IRFPC50APBF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 11А; Idm: 44А; 180Вт; TO247AC - характеристики, поставщики

Последняя цена 182 руб.

Техническая документация