ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IRFP3006PBF, Транзистор MOSFET N-CH 60В 195A [TO-247AC] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
IRFP3006PBF, Транзистор MOSFET N-CH 60В 195A [TO-247AC]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
IRFP3006PBF, Транзистор MOSFET N-CH 60В 195A [TO-247AC]
Последняя цена
720 руб.
Сравнить
Описание
N-канальные силовые полевые МОП-транзисторы от 60 В до 80 В, Infineon
Линейка дискретных силовых полевых МОП-транзисторов с полевым HEXFET® от Infineon включает N-канальные устройства в корпусах для поверхностного монтажа и выводах. И форм-факторы, которые могут решить практически любую проблему компоновки платы и теплового дизайна. Во всем диапазоне эталонное сопротивление снижает потери проводимости, позволяя разработчикам обеспечивать оптимальную эффективность системы.
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Артикул
IRFP3006PBF
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1773054
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+175 °C
Вес, г
7.5
Максимальный непрерывный ток стока
270 A
Максимальное рассеяние мощности
375 Вт
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Ширина
5.31мм
Высота
20.7мм
Количество элементов на ИС
1
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальное сопротивление сток-исток
2,5 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Номер канала
Поднятие
Тип канала
N
Прямое напряжение диода
1.3V
Длина
15.87мм
Серия
HEXFET
Типичное время задержки выключения
118 нс
Тип корпуса
TO-247
Размеры
15.87 x 5.31 x 20.7мм
Материал транзистора
Кремний
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
16 нс
Производитель
Infineon
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
200 нКл при 10 В
Типичная входная емкость при Vds
8970 пФ при 50 В
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Прямая активная межэлектродная проводимость
280s
Техническая документация
irfp3006pbf-1227511 , pdf
, 368 КБ
Datasheet IRFP3006PBF , pdf
, 367 КБ
Datasheet IRFP3006PBF , pdf
, 362 КБ