IRFP150MPBF, Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 93 руб.

Сравнить

Описание

Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET

N-канальный силовой полевой МОП-транзистор 100 В, Infineon
Линейка дискретных силовых полевых МОП-транзисторов с полевыми транзисторами HEXFET® от Infineon включает N-канальные устройства в корпусах для поверхностного монтажа и выводах. И форм-факторы, которые могут решить практически любую проблему компоновки платы и теплового дизайна. Во всем диапазоне эталонное сопротивление снижает потери проводимости, позволяя разработчикам обеспечивать оптимальную эффективность системы.

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

IRFP150MPBF

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

2399845

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+175 °C

Полярность Транзистора

N-Channel

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Максимальный непрерывный ток стока

42 А

Package Type

TO-247AC

Максимальное рассеяние мощности

160 Вт

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Ширина

5.2мм

Высота

21.1мм

Transistor Material

Кремний

Количество элементов на ИС

Length

16.13mm

Brand

Infineon

Series

HEXFET

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

36 мΩ

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Pin Count

Typical Gate Charge @ Vgs

110 нКл при 10 В

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Base Product Number

IRFP150 ->

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

42A (Tc)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

110nC @ 10V

HTSUS

8541.29.0095

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

1900pF @ 25V

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Through Hole

Operating Temperature

-55В°C ~ 175В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-247-3

Power Dissipation (Max)

160W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

36mOhm @ 23A, 10V

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-247AC

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250ВµA

Id - непрерывный ток утечки

42 A

Pd - рассеивание мощности

160 W

Qg - заряд затвора

110 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

36 mOhms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

100 V

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V, + 20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

1.8 V

Вид монтажа

Through Hole

Длина

16.13мм

Канальный режим

Enhancement

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

1 Channel

Конфигурация

Single

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

400

Серия

HEXFET

Технология

Тип продукта

MOSFET

Тип транзистора

1 N-Channel

Типичное время задержки выключения

45 ns

Торговая марка

Infineon / IR

Упаковка / блок

TO-247-3

Упаковка

Tube

Тип корпуса

TO-247AC

Размеры

16.13 x 5.2 x 21.1мм

Материал транзистора

Кремний

Transistor Configuration

Одинарный

Типичное время задержки включения

11 ns

Производитель

Infineon

Maximum Gate Threshold Voltage

Minimum Gate Threshold Voltage

Число контактов

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

110 нКл при 10 В

Типичная входная емкость при Vds

1900 pF @ 25 V

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C

42A

Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)

160W

Rds On - Drain-Source Resistance

Transistor Polarity

N Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

100V

Vgs - Gate-Source Voltage

4V @ 250uA

Maximum Continuous Drain Current

42 A

Maximum Power Dissipation

160 Вт

Width

5.2мм

Maximum Drain Source Resistance

36 mΩ

Maximum Drain Source Voltage

100 В

Channel Mode

Поднятие

Техническая документация

Datasheet IRFP150MPBF , pdf , 1208 КБ
Datasheet , pdf , 1142 КБ
Datasheet IRFP150MPBF , pdf , 1171 КБ

IRFP150MPBF, Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube - характеристики, поставщики

Последняя цена 93 руб.

Техническая документация