IRFIB7N50APBF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 6,6А; Idm: 44А; 60Вт; TO220FP, Vishay - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 300 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT

N-канальный МОП-транзистор, 500 В, Vishay Semiconductor

Информация

Производитель

Vishay

Артикул

IRFIB7N50APBF

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2092059

Технические параметры

Вес, г

3.11

Тип корпуса

TO-220FP

Mounting Type

Through Hole

Ширина

4.7 mm

Число контактов

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 V, +30 V

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Transistor Configuration

Одинарный

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

Серия

IRFIB

Торговая марка

Vishay / Siliconix

Длина

10.41 mm

Высота

9.8мм

Вид монтажа

Through Hole

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Упаковка / блок

TO-220-3

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Base Product Number

IRFIB7 ->

Drain to Source Voltage (Vdss)

500V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-220-3

Производитель

Vishay

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Упаковка

Tube

Технология

Количество элементов на ИС

Максимальный непрерывный ток стока

6,6 A

Максимальное рассеяние мощности

60 Вт

Minimum Gate Threshold Voltage

Максимальное сопротивление сток-исток

520 mΩ

Максимальное напряжение сток-исток

500 В

Материал транзистора

Номер канала

Поднятие

Типичная входная емкость при Vds

1423 pF @ 25 V

Тип канала

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

6.6A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

1423pF @ 25V

Power Dissipation (Max)

60W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

520mOhm @ 4A, 10V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±30V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250ВµA

Типичное время задержки выключения

32 нс

Типичное время задержки включения

14 ns

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

52 nC @ 10 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

52nC @ 10V

Крутизна характеристики S,А/В

6.1

Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В

Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм

520

Температура, С

-55…+150

Техническая документация

Datasheet IRFIB7N50APBF , pdf , 195 КБ
Datasheet IRFIB7N50APBF , pdf , 150 КБ

IRFIB7N50APBF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 6,6А; Idm: 44А; 60Вт; TO220FP - характеристики, поставщики

Последняя цена 300 руб.

Техническая документация