IRFI830GPBF, Транзистор N-MOSFET, полевой, 500В, 2А, 35Вт, TO220FP, Vishay - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 220 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT

60 с, f = 60 Гц) Изоляция высокого напряжения
• Расстояние утечки между каналом и проводом 4,8 мм
• Динамическое сопротивление dV / dt
• Низкое тепловое сопротивление

Информация

Производитель

Vishay

Артикул

IRFI830GPBF

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

1252447

Технические параметры

Вес, г

Brand

Vishay

Конфигурация

Single

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

Серия

IRFI

Торговая марка

Vishay Semiconductors

Id - непрерывный ток утечки

3.1 A

Pd - рассеивание мощности

35 W

Vds - напряжение пробоя сток-исток

500 V

Вид монтажа

Through Hole

Минимальная рабочая температура

55 C

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

TO-220-3

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Количество каналов

1 Channel

Упаковка

Tube

Технология

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

1.5 Ohms

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V, + 20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

2 V

Канальный режим

Enhancement

Qg - заряд затвора

38 nC

Техническая документация

Datasheet IRFI830GPBF , pdf , 1545 КБ
Datasheet IRFI830GPBF , pdf , 1545 КБ

IRFI830GPBF, Транзистор N-MOSFET, полевой, 500В, 2А, 35Вт, TO220FP - характеристики, поставщики

Последняя цена 220 руб.

Техническая документация