IRFI820GPBF, Транзистор N-MOSFET, полевой, 500В, 1,3А, 30Вт, TO220FP, Vishay - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 200 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT

N-канальный МОП-транзистор, 500 В, Vishay Semiconductor

Информация

Производитель

Vishay

Артикул

IRFI820GPBF

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

1524364

Технические параметры

Вес, г

Конфигурация транзистора

Одинарный

Brand

Vishay

Тип корпуса

TO-220FP

Число контактов

Channel Type

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Transistor Configuration

Одинарный

Pin Count

Configuration

Single

EU RoHS

Compliant

ECCN (US)

EAR99

Part Status

Active

HTS

8541.29.00.95

Lead Shape

Through Hole

Package Length

10.63(Max)

Package Width

4.83(Max)

PCB changed

Package Height

16.12(Max)

Mounting

Through Hole

Maximum Drain Source Voltage (V)

500

Maximum Power Dissipation (mW)

30000

Minimum Operating Temperature (°C)

-55

Maximum Operating Temperature (°C)

150

Automotive

Supplier Package

TO-220FP

Standard Package Name

TO-220

Military

Высота

9.8мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Производитель

Vishay

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Количество элементов на ИС

Максимальный непрерывный ток стока

2,1 A

Максимальное рассеяние мощности

30 Вт

Minimum Gate Threshold Voltage

Максимальное сопротивление сток-исток

3 Ω

Максимальное напряжение сток-исток

500 В

Материал транзистора

Номер канала

Поднятие

Типичная входная емкость при Vds

360 pF @ 25 V

Тип канала

Number of Elements per Chip

Maximum Continuous Drain Current

2,1 A

Transistor Material

Кремний

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage

-20 В, +20 В

Типичное время задержки выключения

33 ns

Типичное время задержки включения

8 нс

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

24 нКл при 10 В

Минимальное пороговое напряжение включения

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C

2.1A

Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)

30W(Tc)

Rds On - Drain-Source Resistance

Transistor Polarity

N Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

500V

Vgs - Gate-Source Voltage

4V @ 250uA

Product Category

Power MOSFET

Maximum Gate Source Voltage (V)

±20

Maximum Continuous Drain Current (A)

2.1

Maximum Drain Source Resistance (mOhm)

3000@10V

Typical Gate Charge @ Vgs (nC)

24(Max)@10V

Typical Gate Charge @ 10V (nC)

24(Max)

Typical Input Capacitance @ Vds (pF)

360@25V

Typical Fall Time (ns)

Typical Rise Time (ns)

8.6

Typical Turn-Off Delay Time (ns)

Typical Turn-On Delay Time (ns)

Tab

Техническая документация

Datasheet IRFI820GPBF , pdf , 1787 КБ
Datasheet , pdf , 1785 КБ

IRFI820GPBF, Транзистор N-MOSFET, полевой, 500В, 1,3А, 30Вт, TO220FP - характеристики, поставщики

Последняя цена 200 руб.

Техническая документация