ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IRFI4410ZPBF, Trans MOSFET N-CH 100V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
IRFI4410ZPBF, Trans MOSFET N-CH 100V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pa…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
IRFI4410ZPBF, Trans MOSFET N-CH 100V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube
Последняя цена
127 руб.
Сравнить
Описание
Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET
МОП-транзистор MOSFT 100V 65A 9.3mOhm 83nC
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Артикул
IRFI4410ZPBF
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
2399844
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+175 °C
Полярность Транзистора
N-Channel
Максимальный непрерывный ток стока
43 A
Максимальное рассеяние мощности
47 Вт
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Ширина
4.83мм
Высота
16.13мм
Количество элементов на ИС
1
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальное сопротивление сток-исток
9,3 мОм
Максимальное напряжение сток-исток
100 В
Номер канала
Поднятие
Тип канала
N
Id - непрерывный ток утечки
43 A
Pd - рассеивание мощности
47 W
Qg - заряд затвора
81 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
7.9 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
100 V
Vgs - напряжение затвор-исток
30 V, + 30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
1.8 V
Вид монтажа
Through Hole
Длина
10.75мм
Канальный режим
Enhancement
Категория продукта
МОП-транзистор
Количество каналов
1 Channel
Конфигурация
Single
Подкатегория
MOSFETs
Размер фабричной упаковки
2000
Серия
HEXFET
Технология
Si
Тип продукта
MOSFET
Типичное время задержки выключения
43 нс
Торговая марка
Infineon / IR
Упаковка / блок
TO-220-3
Упаковка
Tube
Тип корпуса
TO-220FP
Размеры
10.75 x 4.83 x 16.13мм
Материал транзистора
Кремний
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
15 нс
Производитель
Infineon
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
81 нКл при 10 В
Типичная входная емкость при Vds
4910 пФ при 50 В
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 V, +30 V
Техническая документация
Datasheet IRFI4410ZPBF , pdf
, 571 КБ