ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IRFI4229PBF, Trans MOSFET N-CH 250V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
IRFI4229PBF, Trans MOSFET N-CH 250V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
IRFI4229PBF, Trans MOSFET N-CH 250V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Последняя цена
216 руб.
Сравнить
Описание
Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET
МОП-транзистор MOSFT 250V 19A 46mOhm 73nC
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Артикул
IRFI4229PBF
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
2410199
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+ 150 C
Полярность Транзистора
N-Channel
Ширина
4.4 mm
Высота
15.65 mm
Series
HEXFETВ® ->
Минимальная рабочая температура
40 C
Base Product Number
IRFI4229 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C
19A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)
250V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
ECCN
EAR99
FET Type
N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
110nC @ 10V
HTSUS
8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
4480pF @ 25V
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40В°C ~ 150В°C (TJ)
Package
Tube
Package / Case
TO-220-3
Power Dissipation (Max)
46W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
46mOhm @ 11A, 10V
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
TO-220AB
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)
В±30V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250ВµA
Id - непрерывный ток утечки
19 A
Pd - рассеивание мощности
46 W
Qg - заряд затвора
73 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
46 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
250 V
Vgs - напряжение затвор-исток
30 V, + 30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
1.8 V
Вид монтажа
Through Hole
Время нарастания
17 ns
Время спада
13 ns
Длина
10 mm
Канальный режим
Enhancement
Категория продукта
МОП-транзистор
Количество каналов
1 Channel
Конфигурация
Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.
26 S
Подкатегория
MOSFETs
Размер фабричной упаковки
2000
Технология
Si
Тип продукта
MOSFET
Тип транзистора
1 N-Channel
Типичное время задержки выключения
32 ns
Типичное время задержки при включении
18 ns
Торговая марка
Infineon / IR
Упаковка / блок
TO-220-3
Упаковка
Tube
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 608 КБ
Datasheet IRFI4229PBF , pdf
, 596 КБ