ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IRFHM9331TR2PBF, Транзистор, P-канал -30В -11А [PQFN-3.3x3.3] (=IRFHM9331TR2PBF) - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
IRFHM9331TR2PBF, Транзистор, P-канал -30В -11А [PQFN-3.3x3.3] (=IRFHM9…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
IRFHM9331TR2PBF, Транзистор, P-канал -30В -11А [PQFN-3.3x3.3] (=IRFHM9331TR2PBF)
Последняя цена
140 руб.
Сравнить
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Артикул
IRFHM9331TR2PBF
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
2378563
Технические параметры
Структура
p-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
-30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
-10
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
2.8
Корпус
PQFN3.3x3.3
Крутизна характеристики S,А/В
16
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
-2.4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм
15
Температура, С
-55…+150