IRFH5215TRPBF, Транзистор, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 360 руб.

Сравнить

Описание

N-канальный силовой полевой МОП-транзистор от 150 В до 600 В, Infineon
Линейка дискретных силовых полевых МОП-транзисторов Infineon HEXFET® включает N-канальные устройства в корпусах для поверхностного монтажа и выводах, а также в форм-факторах, которые подходят практически для любой компоновки платы и проблема теплового проектирования. Во всем диапазоне эталонное сопротивление снижает потери проводимости, позволяя разработчикам обеспечивать оптимальную эффективность системы.

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

IRFH5215TRPBF

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1811888

Технические параметры

Вес, г

0.389

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Package Type

PQFN

Высота

0.85mm

Length

6мм

Brand

Infineon

Pin Count

Typical Gate Charge @ Vgs

21 nC @ 10 V

Maximum Gate Source Voltage

-20 В, +20 В

Mounting Type

Поверхностный монтаж

Серия

HEXFET

Maximum Gate Threshold Voltage

Minimum Gate Threshold Voltage

Number of Elements per Chip

Maximum Continuous Drain Current

27 А

Maximum Power Dissipation

104 W

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Width

5мм

Maximum Drain Source Resistance

58 mΩ

Maximum Drain Source Voltage

150 V

Channel Mode

Поднятие

Channel Type

Forward Diode Voltage

1.3V

Техническая документация

Datasheet IRFH5215TRPBF , pdf , 236 КБ

IRFH5215TRPBF, Транзистор - характеристики, поставщики

Последняя цена 360 руб.

Техническая документация