Полевой транзистор IRFH5015TRPBF, International Rectifier - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 72 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы\Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)

N-канальный силовой полевой МОП-транзистор от 150 В до 600 В, Infineon
Линейка дискретных силовых полевых МОП-транзисторов Infineon HEXFET® включает N-канальные устройства в корпусах для поверхностного монтажа и выводах, а также в форм-факторах, которые подходят практически для любой компоновки платы и проблема теплового проектирования. Во всем диапазоне эталонное сопротивление снижает потери проводимости, позволяя разработчикам обеспечивать оптимальную эффективность системы.

Информация

Производитель

International Rectifier

Артикул

IRFH5015TRPBF

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

2475805

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Полярность Транзистора

N-Channel

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Package Type

PQFN

Максимальное рассеяние мощности

156 Вт

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Ширина

5 mm

Высота

0.85мм

Количество элементов на ИС

Brand

Infineon

Series

HEXFET

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Pin Count

Номер канала

Поднятие

Maximum Gate Source Voltage

-20 В, +20 В

Прямое напряжение диода

1.3V

Id - непрерывный ток утечки

10 A

Pd - рассеивание мощности

3.6 W

Qg - заряд затвора

36 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

31 mOhms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

150 V

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V, + 20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

5 V

Вид монтажа

SMD/SMT

Время нарастания

9.7 ns

Время спада

3.4 ns

Длина

6мм

Канальный режим

Enhancement

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

1 Channel

Конфигурация

Single

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

38 S

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

4000

Технология

Тип продукта

MOSFET

Тип транзистора

1 N-Channel

Типичное время задержки выключения

14 ns

Типичное время задержки при включении

9.4 ns

Торговая марка

Infineon / IR

Упаковка / блок

PQFN-8

Типичный заряд затвора при Vgs

36 нКл при 10 В

Maximum Continuous Drain Current

44 А

Width

5мм

Maximum Drain Source Resistance

31 мΩ

Maximum Drain Source Voltage

150 В

Channel Type

Минимальное пороговое напряжение включения

Максимальное пороговое напряжение включения

Техническая документация

Datasheet IRFH5015TRPBF , pdf , 273 КБ
Datasheet IRFH5015TRPBF , pdf , 289 КБ

Полевой транзистор IRFH5015TRPBF - характеристики, поставщики

Последняя цена 72 руб.

Техническая документация