IRFH5006TRPBF, Транзистор MOSFET N-канал 60В 21A/100A [PQFN-8(5x6)], Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 110 руб.

Сравнить

Описание

N-канальные силовые полевые МОП-транзисторы от 60 В до 80 В, Infineon
Линейка дискретных силовых полевых МОП-транзисторов с полевым HEXFET® от Infineon включает N-канальные устройства в корпусах для поверхностного монтажа и выводах. И форм-факторы, которые могут решить практически любую проблему компоновки платы и теплового дизайна. Во всем диапазоне эталонное сопротивление снижает потери проводимости, позволяя разработчикам обеспечивать оптимальную эффективность системы.

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

IRFH5006TRPBF

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1812333

Технические параметры

Вес, г

0.5

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Package Type

PQFN

Высота

0.85mm

Length

6мм

Brand

Infineon

Pin Count

Typical Gate Charge @ Vgs

69 nC @ 20 V

Maximum Gate Source Voltage

-20 В, +20 В

Mounting Type

Поверхностный монтаж

Серия

HEXFET

Maximum Gate Threshold Voltage

Minimum Gate Threshold Voltage

Number of Elements per Chip

Maximum Continuous Drain Current

100 А

Maximum Power Dissipation

156 W

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Width

5мм

Maximum Drain Source Resistance

4.1 mΩ

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Channel Mode

Поднятие

Channel Type

Forward Diode Voltage

1.3V

Техническая документация

Infineon_IRFH5006_DataSheet_v01_01_EN-1228350 , pdf , 289 КБ
Datasheet IRFH5006TRPBF , pdf , 281 КБ
Datasheet IRFH5006TRPBF , pdf , 264 КБ

IRFH5006TRPBF, Транзистор MOSFET N-канал 60В 21A/100A [PQFN-8(5x6)] - характеристики, поставщики

Последняя цена 110 руб.

Техническая документация