ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IRFH4234TRPBF, Транзистор HEXFET N-канал 25В 60А 4.6мОм, [PQFN-5x6] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
IRFH4234TRPBF, Транзистор HEXFET N-канал 25В 60А 4.6мОм, [PQFN-5x6]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
IRFH4234TRPBF, Транзистор HEXFET N-канал 25В 60А 4.6мОм, [PQFN-5x6]
Последняя цена
54 руб.
Сравнить
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Артикул
IRFH4234TRPBF
Категория
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
Номенклатурный номер
1772971
Технические параметры
Вес, г
0.5
Структура
n-канал
Корпус
pqfn 5x6 mm
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
25
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
60
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
0.0046 ом при 30a
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
3.5
Крутизна характеристики, S
60
Пороговое напряжение на затворе
1.1…2.1
Техническая документация
irfh4234pbf , pdf
, 248 КБ