IRFBE30SPBF, Транзистор N-MOSFET, полевой, 800В, 2,6А, 125Вт, D2PAK, Vishay - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 122 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N SMD

МОП-транзистор N-Chan 800V 4.1 Amp

Информация

Производитель

Vishay

Артикул

IRFBE30SPBF

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2078725

Технические параметры

Вес, г

Mounting Type

Surface Mount

Ширина

9.65 mm

Channel Type

Pin Count

Configuration

Single

EU RoHS

Compliant with Exemption

ECCN (US)

EAR99

Part Status

Active

HTS

8542.39.00.01

Package Length

10.41(Max)

Package Width

9.65(Max)

PCB changed

Package Height

4.83(Max)

Mounting

Surface Mount

Maximum Drain Source Voltage (V)

800

Maximum Power Dissipation (mW)

125000

Minimum Operating Temperature (°C)

-55

Maximum Operating Temperature (°C)

150

Automotive

Supplier Package

D2PAK

Standard Package Name

TO-263

Military

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

1000

Серия

IRFBE

Торговая марка

Vishay / Siliconix

Длина

10.67 mm

Высота

4.83 mm

Вид монтажа

SMD/SMT

Упаковка / блок

TO-263-3

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Base Product Number

IRFBE30 ->

Drain to Source Voltage (Vdss)

800V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-263-3, DВІPak (2 Leads + Tab), TO-263AB

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

D2PAK

Упаковка

Tube

Технология

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

4.1A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

1300pF @ 25V

Power Dissipation (Max)

125W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3Ohm @ 2.5A, 10V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250ВµA

Number of Elements per Chip

Channel Mode

Enhancement

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

78nC @ 10V

Product Category

Power MOSFET

Maximum Gate Source Voltage (V)

±20

Maximum Continuous Drain Current (A)

4.1

Maximum Drain Source Resistance (mOhm)

3000@10V

Typical Gate Charge @ Vgs (nC)

78(Max)@10V

Typical Gate Charge @ 10V (nC)

78(Max)

Typical Input Capacitance @ Vds (pF)

1300@25V

Typical Fall Time (ns)

Typical Rise Time (ns)

Typical Turn-Off Delay Time (ns)

Typical Turn-On Delay Time (ns)

Tab

Техническая документация

Datasheet , pdf , 510 КБ
Datasheet , pdf , 507 КБ

IRFBE30SPBF, Транзистор N-MOSFET, полевой, 800В, 2,6А, 125Вт, D2PAK - характеристики, поставщики

Последняя цена 122 руб.

Техническая документация