IRFBC40SPBF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 3,9А; Idm: 25А; 130Вт; D2PAK, Vishay - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 520 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N SMD

МОП-транзистор N-Chan 600V 6.2 Amp

Информация

Производитель

Vishay

Артикул

IRFBC40SPBF

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2085461

Технические параметры

Вес, г

Mounting Type

Surface Mount

Channel Type

Pin Count

Configuration

Single

EU RoHS

Compliant with Exemption

ECCN (US)

EAR99

Part Status

Active

Package Length

10.41(Max)

Package Width

9.65(Max)

PCB changed

Package Height

4.83(Max)

Mounting

Surface Mount

Maximum Drain Source Voltage (V)

600

Maximum Power Dissipation (mW)

3100

Minimum Operating Temperature (°C)

-55

Maximum Operating Temperature (°C)

150

Packaging

Tube�

Automotive

Supplier Package

D2PAK

Standard Package Name

TO-263

Military

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

1000

Серия

IRFBC

Торговая марка

Vishay / Siliconix

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Base Product Number

IRFBC40 ->

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-263-3, DВІPak (2 Leads + Tab), TO-263AB

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

D2PAK

Упаковка

Tube

Технология

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

6.2A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

1300pF @ 25V

Power Dissipation (Max)

3.1W (Ta), 130W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.2Ohm @ 3.7A, 10V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250ВµA

Number of Elements per Chip

Channel Mode

Enhancement

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

60nC @ 10V

Product Category

Power MOSFET

Maximum Gate Source Voltage (V)

±20

Maximum Continuous Drain Current (A)

6.2

Maximum Drain Source Resistance (mOhm)

1200@10V

Typical Gate Charge @ Vgs (nC)

60(Max)@10V

Typical Gate Charge @ 10V (nC)

60(Max)

Typical Input Capacitance @ Vds (pF)

1300@25V

Typical Fall Time (ns)

Typical Rise Time (ns)

Typical Turn-Off Delay Time (ns)

Typical Turn-On Delay Time (ns)

Tab

Maximum Gate Threshold Voltage (V)

-30|30

Maximum Continuous Drain Current on PCB @ TC=25°C (A)

6.2

Typical Gate Threshold Voltage (V)

Техническая документация

Datasheet IRFBC40SPBF , pdf , 323 КБ
Datasheet IRFBC40SPBF , pdf , 327 КБ
Datasheet IRFBC40SPBF , pdf , 335 КБ

IRFBC40SPBF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 3,9А; Idm: 25А; 130Вт; D2PAK - характеристики, поставщики

Последняя цена 520 руб.

Техническая документация