ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IRFBC40LCPBF, Транзистор - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Vishay
IRFBC40LCPBF, Транзистор
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
IRFBC40LCPBF, Транзистор
Последняя цена
230 руб.
Сравнить
Описание
N-канальный MOSFET, от 600 В до 1000 В, Vishay Semiconductor
Информация
Производитель
Vishay
Артикул
IRFBC40LCPBF
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1810722
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+150 °C
Вес, г
5
Максимальный непрерывный ток стока
6.2 A
Максимальное рассеяние мощности
125 W
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Ширина
4.7мм
Высота
9.01мм
Количество элементов на ИС
1
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальное сопротивление сток-исток
1.2 Ω
Максимальное напряжение сток-исток
600 В
Номер канала
Поднятие
Тип канала
N
Длина
10.41мм
Типичное время задержки выключения
27 нс
Тип корпуса
TO-220AB
Размеры
10.41 x 4.7 x 9.01мм
Материал транзистора
SI
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
12 нс
Производитель
Vishay
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
39 нКл при 10 В
Типичная входная емкость при Vds
1100 pF@ 25 V
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 V, +30 V
Техническая документация
Datasheet IRFBC40LCPBF , pdf
, 287 КБ