IRFB7530PBF, Транзистор, StrongIRFET с диодом, N-канал, 60В, 195А [TO-220AB], Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 180 руб.

Сравнить

Описание

IRFB7530PBF - это одноканальный силовой полевой МОП-транзистор HEXFET® с N-каналом, обеспечивающий повышенную стойкость к затвору, лавине и динамической стойкости к dV / dt. Он подходит для цепей с батарейным питанием, синхронных выпрямителей, кольцевых уплотнений и резервных переключателей питания, полумостовых и полномостовых топологий.

• Полностью охарактеризованная емкость и лавинный SOA
• Улучшенные характеристики корпусного диода dV / dt и di / dt

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

IRFB7530PBF

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1772928

Технические параметры

Вес, г

2.5

Структура

n-канал

Максимальное напряжение сток-исток Uси,В

Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А

195

Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В

Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)

0.002 Ом/100А, 10В

Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт

375

Крутизна характеристики, S

242

Корпус

TO-220AB

Особенности

низковольтные mosfets для сильноточных применений

Техническая документация

irfs7530pbf Datasheet , pdf , 655 КБ
Datasheet , pdf , 656 КБ

IRFB7530PBF, Транзистор, StrongIRFET с диодом, N-канал, 60В, 195А [TO-220AB] - характеристики, поставщики

Последняя цена 180 руб.

Техническая документация