IRFB4410ZGPBF (упаковка из 5), MOSFET N-Channel HEXFET 1, International Rectifier - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 290 руб.

Сравнить

Описание

N-канальный силовой полевой МОП-транзистор 100 В, Infineon
Линейка дискретных силовых полевых МОП-транзисторов с полевыми транзисторами HEXFET® от Infineon включает N-канальные устройства в корпусах для поверхностного монтажа и выводах. И форм-факторы, которые могут решить практически любую проблему компоновки платы и теплового дизайна. Во всем диапазоне эталонное сопротивление снижает потери проводимости, позволяя разработчикам обеспечивать оптимальную эффективность системы.

Информация

Производитель

International Rectifier

Артикул

IRFB4410ZGPBF (упаковка из 5)

P/N

IRFB4410ZGPBF

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1810213

Технические параметры

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Package Type

TO-220

Transistor Material

Length

10.67mm

Brand

Infineon

Series

HEXFET

Pin Count

Typical Gate Charge @ Vgs

19 nC @ 50 V

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Mounting Type

Through Hole

Transistor Configuration

Single

Number of Elements per Chip

Maximum Continuous Drain Current

97 A

Maximum Power Dissipation

230 W

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Width

4.83mm

Height

16.51mm

Maximum Drain Source Resistance

9 mΩ

Maximum Drain Source Voltage

100 V

Channel Mode

Enhancement

Channel Type

Forward Diode Voltage

1.3V

Forward Transconductance

140s

Dimensions

10.67 x 4.83 x 16.51mm

Typical Turn-On Delay Time

16 ns

Typical Turn-Off Delay Time

43 ns

IRFB4410ZGPBF (упаковка из 5), MOSFET N-Channel HEXFET 1 - характеристики, поставщики

Последняя цена 290 руб.