ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IRFB3307PBF, Nкан 75В 130А [TO-220AB] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
International Rectifier
IRFB3307PBF, Nкан 75В 130А [TO-220AB]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
IRFB3307PBF, Nкан 75В 130А [TO-220AB]
Последняя цена
530 руб.
Сравнить
ВКонтакте
Одноклассники
Telegram
Twitter
Viber
WhatsApp
Скопировать ссылку
Описание
N-канальные силовые полевые МОП-транзисторы от 60 В до 80 В, Infineon
Линейка дискретных силовых полевых МОП-транзисторов с полевым HEXFET® от Infineon включает N-канальные устройства в корпусах для поверхностного монтажа и выводах. И форм-факторы, которые могут решить практически любую проблему компоновки платы и теплового дизайна. Во всем диапазоне эталонное сопротивление снижает потери проводимости, позволяя разработчикам обеспечивать оптимальную эффективность системы.
Информация
Производитель
International Rectifier
Артикул
IRFB3307PBF
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1252405
Технические параметры
Вес, г
2.84
Структура
n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
75
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
130
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
0.0063 Ом/75А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
250
Крутизна характеристики, S
9.8
Корпус
TO-220AB
Техническая документация
IRFS3307PBF Datasheet , pdf
, 383 КБ
Datasheet IRFB3307PBF , pdf
, 321 КБ