IRF9540SPBF, Trans MOSFET P-CH 100V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK, Vishay - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 72 руб.

Сравнить

Описание

Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET

МОП-транзистор с каналом P, от 100 до 400 В, Vishay Semiconductor

Информация

Производитель

Vishay

Артикул

IRF9540SPBF

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

2399397

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+175 °C

Полярность Транзистора

P-Channel

Максимальный непрерывный ток стока

19 А

Максимальное рассеяние мощности

150 W

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Ширина

9.65мм

Высота

4.83мм

Количество элементов на ИС

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

200 мОм

Максимальное напряжение сток-исток

100 V

Pin Count

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Id - непрерывный ток утечки

19 A

Pd - рассеивание мощности

150 W

Qg - заряд затвора

61 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

200 mOhms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

100 V

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V, + 20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

2 V

Вид монтажа

SMD/SMT

Время нарастания

73 ns

Время спада

57 ns

Длина

10.67мм

Канальный режим

Enhancement

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

1 Channel

Конфигурация

Single

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

6.2 S

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

1000

Серия

IRF

Технология

Тип продукта

MOSFET

Тип транзистора

1 P-Channel

Типичное время задержки выключения

34 нс

Типичное время задержки при включении

16 ns

Торговая марка

Vishay Semiconductors

Упаковка / блок

TO-252-3

Упаковка

Tube

Тип корпуса

D2PAK (TO-263)

Размеры

10.67 x 9.65 x 4.83мм

Материал транзистора

Transistor Configuration

Одинарный

Типичное время задержки включения

16 ns

Производитель

Vishay

Minimum Gate Threshold Voltage

Число контактов

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

61 nC @ 10 V

Типичная входная емкость при Vds

1400 pF @ 25 V

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Number of Elements per Chip

Channel Mode

Enhancement

Channel Type

Configuration

Single

ECCN (US)

EAR99

EU RoHS

Compliant with Exemption

Maximum Continuous Drain Current (A)

Maximum Drain Source Resistance (mOhm)

200@10V

Maximum Drain Source Voltage (V)

100

Maximum Gate Source Voltage (V)

±20

Maximum Operating Temperature (°C)

175

Maximum Power Dissipation (mW)

150000

Minimum Operating Temperature (°C)

-55

Mounting

Surface Mount

Part Status

Active

PCB changed

Product Category

Power MOSFET

Standard Package Name

TO-263

Supplier Package

D2PAK

Typical Input Capacitance @ Vds (pF)

1400@25V

HTS

8541.10.00.80

Typical Gate Charge @ Vgs (nC)

61(Max)@10V

Typical Gate Charge @ 10V (nC)

61(Max)

Typical Fall Time (ns)

Typical Rise Time (ns)

Typical Turn-Off Delay Time (ns)

Typical Turn-On Delay Time (ns)

Automotive

Military

Package Height

4.83(Max)

Package Length

10.41(Max)

Package Width

9.65(Max)

Tab

Техническая документация

Datasheet IRF9540SPBF , pdf , 176 КБ

IRF9540SPBF, Trans MOSFET P-CH 100V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK - характеристики, поставщики

Последняя цена 72 руб.

Техническая документация