IRF7501TRPBF, Двойной МОП-транзистор, N Канал, 20 В, 2.4 А, 0.085 Ом, µSOIC, Surface Mount, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 110 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Двойные МОП-транзисторы

Корпус MICRO8, Конфигурация и полярность Dual N, Максимальное напряжение сток-исток 20 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 2.4 А, Сопротивление открытого канала (мин) 85 мОм

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

IRF7501TRPBF

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1252366

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

150 C

Количество Выводов

8вывод(-ов)

Стиль Корпуса Транзистора

uSOIC

Рассеиваемая Мощность

1.25Вт

Полярность Транзистора

N Канал

Напряжение Истока-стока Vds

20В

Непрерывный Ток Стока

2.4А

Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)

0.085Ом

Напряжение Измерения Rds(on)

4.5В

Пороговое Напряжение Vgs

700мВ

Transistor Mounting

Surface Mount

Вес, г

0.1

Линейка Продукции

HEXFET Series

Техническая документация

IRF7501 datasheet , pdf , 144 КБ
Datasheet IRF7501TRPBF , pdf , 179 КБ

IRF7501TRPBF, Двойной МОП-транзистор, N Канал, 20 В, 2.4 А, 0.085 Ом, µSOIC, Surface Mount - характеристики, поставщики

Последняя цена 110 руб.

Техническая документация