ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IRF7492PBF, транзистор Nкан 200В 3.7А SO8 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
IRF7492PBF, транзистор Nкан 200В 3.7А SO8
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
IRF7492PBF, транзистор Nкан 200В 3.7А SO8
Последняя цена
110 руб.
Сравнить
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Артикул
IRF7492PBF
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1443202
Технические параметры
Структура
n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
3.7
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
2.5
Корпус
so8
Крутизна характеристики S,А/В
7.9
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
2.5
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм
79
Температура, С
-55…+150