ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IRF7456TRPBF, МОП-транзистор, N-Канальный, 16 А, 20 В, 0.0047 Ом, 10 В, 2 В, [SOP-8] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
IRF7456TRPBF, МОП-транзистор, N-Канальный, 16 А, 20 В, 0.0047 Ом, 10 В…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
IRF7456TRPBF, МОП-транзистор, N-Канальный, 16 А, 20 В, 0.0047 Ом, 10 В, 2 В, [SOP-8]
Последняя цена
41 руб.
Сравнить
Описание
Корпус SO-8, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 20 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 16 А, Сопротивление открытого канала (мин) 6.5 мОм
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Артикул
IRF7456TRPBF
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1772777
Технические параметры
Вес, г
0.15
Структура
n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
16
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
12
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
0.0065 Ом/16А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
2.5
Крутизна характеристики, S
44
Корпус
soic-8
Пороговое напряжение на затворе
0.6…2
Техническая документация
IRF7456PBF Datasheet , pdf
, 206 КБ
IRF7456 , pdf
, 207 КБ