IRF7341GTRPBF, Двойной МОП-транзистор, N Канал, 55 В, 5.1 А, 0.043 Ом, SOIC, Surface Mount, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Сравнить

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

IRF7341GTRPBF

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1252357

Максимальная Рабочая Температура

175 C

Количество Выводов

8вывод(-ов)

Стиль Корпуса Транзистора

SOIC

Рассеиваемая Мощность

1.7Вт

Полярность Транзистора

N Канал

Напряжение Истока-стока Vds

55В

Непрерывный Ток Стока

5.1А

Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)

0.043Ом

Напряжение Измерения Rds(on)

10В

Пороговое Напряжение Vgs

1В

Transistor Mounting

Surface Mount

Вес, г

0.1

Линейка Продукции

HEXFET Series

IRF7341GTRPBF, Двойной МОП-транзистор, N Канал, 55 В, 5.1 А, 0.043 Ом, SOIC, Surface Mount - характеристики, поставщики