ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
Транзистор IRF7241TRPBF - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
Транзистор IRF7241TRPBF
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Транзистор IRF7241TRPBF
Последняя цена
16 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы\Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
MOSFET Transistor Type MOSFET Transist
Корпус SO-8, Конфигурация и полярность P, Максимальное напряжение сток-исток 40 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 6.2 А, Сопротивление открытого канала (мин) 41 мОм
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Артикул
IRF7241TRPBF
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
2445849
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока
6.2 A
Максимальное рассеяние мощности
2,5 Вт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
4мм
Высота
1.5мм
Количество элементов на ИС
1
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальное сопротивление сток-исток
70 мОм
Максимальное напряжение сток-исток
-40 В
Номер канала
Поднятие
Тип канала
A, P
Длина
5мм
Серия
HEXFET
Типичное время задержки выключения
210 нс
Тип корпуса
SOIC
Размеры
5 x 4 x 1.5мм
Материал транзистора
Кремний
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
24 ns
Производитель
Infineon
Maximum Gate Threshold Voltage
3V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Число контактов
8
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
53 nC @ 10 V
Типичная входная емкость при Vds
3220 pF @ -25 V
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C
6.2A
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)
2.5W
Rds On - Drain-Source Resistance
41mО© @ 6.2A,10V
Transistor Polarity
P Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
40V
Vgs - Gate-Source Voltage
3V @ 250uA
Крутизна характеристики S,А/В
8.9
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
-3
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм
41
Температура, С
-55...+150
Техническая документация
IRF7241PBF_Datasheet , pdf
, 171 КБ
