ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IRF7201TRPBF, Транзистор, N-канал 30В 7.3А [SO-8] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
IRF7201TRPBF, Транзистор, N-канал 30В 7.3А [SO-8]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
IRF7201TRPBF, Транзистор, N-канал 30В 7.3А [SO-8]
Последняя цена
25 руб.
Сравнить
Описание
MOSFET; Transistor Type: MOSFET; Transist
Корпус SO-8, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 30 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 7.3 А, Сопротивление открытого канала (мин) 30 мОм
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Артикул
IRF7201TRPBF
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1772695
Технические параметры
Вес, г
0.15
Структура
n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
7.3
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
0.03 Ом/7.3А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
2.5
Крутизна характеристики, S
5.8
Корпус
soic-8
Пороговое напряжение на затворе
1
Техническая документация
irf7201pbf , pdf
, 174 КБ