ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IRF7105TRPBF, Транзистор, N/P-каналы 25В 3.5А/-2.3А [SO-8] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
IRF7105TRPBF, Транзистор, N/P-каналы 25В 3.5А/-2.3А [SO-8]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
IRF7105TRPBF, Транзистор, N/P-каналы 25В 3.5А/-2.3А [SO-8]
Последняя цена
33 руб.
Сравнить
Описание
MOSFET; Transistor Type: MOSFET; Transist
Корпус SO-8, Конфигурация и полярность N+P, Максимальное напряжение сток-исток 25 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 3.5 А, Сопротивление открытого канала (мин) 16 мОм
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Артикул
IRF7105TRPBF
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1772693
Технические параметры
Вес, г
0.15
Структура
N/P-каналы
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
25
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
3.5/2.3
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
3
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
0.1 Ом/1А, 10В/0.25 Ом/1А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
2
Крутизна характеристики, S
3.1/4.3
Корпус
soic-8
Техническая документация
Datasheet IRF7105 , pdf
, 264 КБ
Datasheet IRF7105TRPBF , pdf
, 303 КБ
Datasheet IRF7105TRPBF , pdf
, 303 КБ